Transistor MOS à enrichissement
Introduction
Lois fondamentales
Eléments
Outils
Signaux variables
Régime sinusoïdal
Analyse en fréquence
Analyse transitoire
Electronique numérique
Le transistor MOS (Metal Oxyde Semiconductor) à enrichissement est un transistor à effet de champ. Il est constitué de deux zones dopées de polarité identique intégrées dans une zone de polarité inverse. L’espace entre ces deux zones défini le canal du MOS. Une grille se superpose exactement au canal. Cette grille est isolée du canal par une fine couche d’oxyde de silicium (SiO2). Une électrode est connectée à chaque extrémité du canal. Une troisième électrode est connectée à la grille. Le substrat qui sert de support physique à l’élément est connecté à une quatrième électrode.
Cette électrode est le plus souvent reliée à l’électrode de source. Comme pour les JFET, deux structures sont possibles : les MOS à enrichissement à canal n et à canal p.
Cette électrode est le plus souvent reliée à l’électrode de source. Comme pour les JFET, deux structures sont possibles : les MOS à enrichissement à canal n et à canal p.
Structure du transistor MOS canal n
Structure du transistor MOS canal p
Relation tension-courant
- Le courant dans entre le drain et la source est commandé par la tension grille-source.
- La tension entre grille et source peut être négative ou positive
- Si la tension grille-source devient inférieure une valeur VT (appelée tension de seuil) le courant entre drain et source est interrompu
- Une tension grille-source supérieure à VT fait augmenter le courant entre drain et source
Symbole électrique
Transistor MOS canal n
Transistor MOS canal p
Réalisation et technologie
Tout comme les diodes, ces éléments sont le plus souvent réalisés en silicium. On les utilise pour réaliser des amplificateurs mais surtout pour réaliser les circuits numériques constituant la plupart des appareils électroniques actuels. Ils sont également fréquemment utilisés pour la commande de puissance (moteurs, lampes, …)
