Transistor MOS à appauvrissement

Cours de technologie électrique

et électronique

Transistor MOS à appauvrissement

Introduction

Lois fondamentales

Eléments

Outils

Signaux variables

Régime sinusoïdal

Analyse en fréquence

Analyse transitoire

Electronique numérique

Le transistor MOS (Metal Oxyde Semiconductor) à appauvrissement est un transistor à effet de champ. Il est constitué d’un canal de semi-conducteur dopé et d’une grille se superposant exactement au canal. Cette grille est isolée du canal par une fine couche d’oxyde de silicium (SiO2). Une électrode est connectée à chaque extrémité du canal. Une troisième électrode est connectée à la grille. Le substrat qui sert de support physique à l’élément est connecté à une quatrième électrode. Cette électrode est le plus souvent reliée à l’électrode de source. Comme pour les JFET, deux structures sont possibles : les MOS à appauvrissement à canal n et à canal p.

Structure du transistor MOS canal n

Structure du transistor MOS canal p

Relation tension-courant

Le courant dans entre le drain et la source est commandé par la tension grille-source.
La tension entre grille et source peut être négative ou positive
Une tension grille-source négative fait décroître le courant entre drain et source
Une tension grille-source positive fait augmenter le courant entre drain et source
Si la tension grille-source dépasse une valeur négative VT (appelée tension de pincement) le courant entre drain et source est interrompu

Symbole électrique

Transistor MOS canal n

Transistor MOS canal p

Réalisation et technologie

Tout comme les diodes, ces éléments sont le plus souvent réalisés en silicium. On les utilise pour réaliser des amplificateurs.