Transistor bipolaire
Introduction
Lois fondamentales
Eléments
Outils
Signaux variables
Régime sinusoïdal
Analyse en fréquence
Analyse transitoire
Electronique numérique
Un transistor bipolaire est constitué d’une partie de semi-conducteur présentant trois zones distinctes. La zone médiane est d’une polarité inverse à celle des deux zones extrêmes. Une électrode (connexion) est raccordée à chacune de ces trois zones, l’émetteur, la base et le collecteur. On peut réaliser deux types de transistors bipolaires : le transistor npn et le transistor pnp.
Structure du transistor npn
Structure du transistor pnp
Relation tension-courant
- Le courant dans le collecteur est proportionnel (10 à 800 fois) au courant dans la base.
- Le courant dans la base varie exponentiellement en fonction de la tension base-émetteur (diode)
Symbole électrique
Transistor npn
Transistor pnp
Réalisation et technologie
Tout comme les diodes, ces éléments sont le plus souvent réalisés en silicium. On les utilise pour réaliser des amplificateurs ou des circuits logiques (cette technologie est en voie de disparition).
Copyright: HE-Arc 2014. Auteur : Gérald Huguenin Révision : septembre 2019
