Transistor JFET
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Régime sinusoïdal
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Analyse transitoire
Electronique numérique
Un transistor JFET est constitué d’une partie de semi-conducteur présentant deux zones distinctes de polarité inverses. Trois électrodes sont raccordées au dispositif selon le schéma de principe ci-dessous. La partie de silicium reliant le drain à la source s’appelle le canal.
On peut réaliser deux types de transistors JFET : le JFET à canal n et le JFET à canal p.
On peut réaliser deux types de transistors JFET : le JFET à canal n et le JFET à canal p.
Structure du transistor JFET canal n
Structure du transistor JFET canal p
Relation tension-courant
- Le courant dans entre le drain et la source est commandé par la tension grille-source.
- Une tension nulle entre grille et source laisse passer le maximum de courant possible pour l’élément
- La tension grille-source doit être négative ou nulle
- Si la tension grille-source dépasse une valeur négative VT (appelée tension de pincement) le courant entre drain et source est interrompu
Symbole électrique
Transistor JFET canal n
Transistor JFET canal p
Réalisation et technologie
Tout comme les diodes, ces éléments sont le plus souvent réalisés en silicium. On les utilise pour réaliser des amplificateurs.
Copyright: HE-Arc 2014. Auteur : Gérald Huguenin Révision : septembre 2019
